线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型

作者：卢盛辉; 杜江锋; 周伟; 夏建新

来源：真空科学与技术学报, 2011, (02): 225-228.

• 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管
• 费米能级
• 线性近似
• 二维电子气 AlGaN/GaN HEMTs
• Fermi level
• Linear approximation
• Two-dimensional electron gas

通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学