基于再生长和离子注入的GaN凹槽阳极肖特基二极管制备方法

作者：张进成; 张燕妮; 周弘; 宁静; 郝跃

来源：2019-08-20, 中国, CN201910766692.3.

本发明公开了一种基于再生长和离子注入的GaN凹槽阳极肖特基二极管制备方法,主要解决现有方法制作的GaN肖特基二极管欧姆接触电阻较大的问题。其实现方案为：1)在清洗后的外延片上淀积SiN；2)在淀积有SiN的外延片上进行欧姆区离子注入,并将其清洗后进行热退火处理；3)在离子注入后的外延片上淀积SiO2；4)在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区凹槽光刻和凹槽刻蚀,并进行清洗；5)在清洗后的外延片上生长n+-GaN,并去除生长有n+-GaN外延片上的剩余SiO2层,再进行阴极金属淀积,并热退火；6)在退火后的外延片上刻蚀出阳极凹槽并进行阳极制作。本发明的欧姆接触电阻低,刻蚀工艺简单,可用于制作电力电子器件。

• 单位
  西安电子科技大学