摘要

以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应;OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳。

  • 单位
    电子科技大学; 光电信息学院; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室