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摘要
本文以热化学气相沉积法在Si(100)基板上生长出Sb掺杂ZnO纳米线,分析了样品的结构及光电特性。SEM检测发现成长出宽约40～100 nm及长约数微米的纳米线结构;XRD分析表明纳米线为六方纤锌矿结构,其结晶度随Sb掺杂量增加而变差;TEM观测发现纳米线的生长方向为[0001]晶面,XPS分析表明Sb3+成功掺入ZnO晶体结构中;PL光谱得出掺Sb后纳米线的紫外光发光位置由382 nm红移至389 nm,536 nm处绿光发光强度减弱;电性测量表明微量Sb掺杂可提高ZnO纳米线的导电性能。
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