基于阳极键合干法刻蚀技术的MEMS隧道加速度计的加工及测试

作者：董海峰; 郝一龙; 贾玉斌; 闫桂珍; 王颖; 李婷

来源：半导体学报, 2004, 25(12): 1606-1611.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2004.12.012

• 隧道效应
• 加速度计
• 微机电系统

提出了一种基于北京大学硅玻璃键合深刻蚀释放工艺的扩展工艺,用来加工微型隧道加速度计.采用HP4145B半导体分析仪在大气环境下对所加工的器件进行了开环测试,验证了隧道电流的存在以及隧道间隙与隧道电流之间的指数关系.实验结果外推出的隧道势垒的范围为1.182～2.177eV.大部分器件的开启电压在14～16V之间.在-1,0和+1g三种状态下对开启电压分别进行了测试,得到加速度计的灵敏度约为87

• 单位
  北京大学