微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

作者：徐进; 杨德仁; 储佳; 马向阳; 阙端麟

来源：Acta Physica Sinica, 2004, (02): 550-554.

• 直拉硅
• 透射电镜
• 氧化诱生层错 silicon
• TEM
• OSF

利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小 ,并有冲出型位错产生 .而在CZ中 ,生成了大量的多面体氧沉淀 ,并且随着热氧化时间的延长 ,层错的尺寸逐渐增大

• 单位
  硅材料国家重点实验室