SiO_2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响

作者：何政; 李雪; 亢勇; 方家熊

来源：半导体光电, 2006, (04): 406-408.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2006.04.016

• SiO_2钝化膜
• i-GaN
• 肖特基探测器 SiO_2 passivation layer
• Schottky photodetectors

在采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器;利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜;并对这些器件的性能进行了表征。通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较,结果表明:SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流,同时并不影响器件的正向开启电压;在光波长范围为300~365 nm,探测器的响应率显著地提高。产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院研究生院; 中国科学院上海技术物理研究所