化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是集成电路制造的一项关键工艺过程,随着芯片器件尺寸越来越小,CMP变得越来越重要。晶圆研磨头是CMP设备的关键部件,对晶圆表面平坦度,尤其是晶圆边缘平坦度有着重要影响。本文主要介绍uPlanar研磨头的优化设计和工作机理,通过uPlanar研磨头与传统研磨头对不同制程晶圆的研磨数据进行对比,得出uPlanar研磨头在提升晶圆边缘平坦度方面具有明显优势。
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