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摘要
低温烧结纳米银焊膏具有优越的热、电和力学性能，成为宽禁带半导体器件封装互连的关键材料之一，高服役温度下，烧结银的氧化和分解会引起电化学迁移的发生，可能导致电子器件的短路失效.在纳米银焊膏中添加氧亲和力更高的铟颗粒，采用竞争氧化的思路可以抑制烧结银的电化学迁移.与烧结纳米铟焊膏(382 min)相比，烧结Ag-3In和Ag-5In(质量分数，%)焊膏的电化学迁移寿命提高至779和804 min，提高约1倍；分析了铟粉对烧结银在高温干燥环境中电化学迁移失效的抑制机理.服役过程中，铟颗粒优先于银颗粒与氧气发生反应生成In2O3，从而抑制了烧结银的氧化、分解和离子化过程，显著提高了烧结银的电化学迁移失效时间，与此同时，与烧结银焊膏相比，烧结Ag-1In与Ag-3In(质量分数，%)焊膏的抗剪强度分别提升了30.92%和32.37%.结果表明，纳米铟粉的引入可以显著提高烧结银的电化学迁移寿命.
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