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摘要
针对微机电系统（MEMS）中硅通孔（TSV）的热可靠性，利用快速热处理技术（RTP）进行了温度对其影响的实验分析。通过有限元分析（FEA）的方法了解了不同温度热处理后TSV结构的变化趋势，利用RTP对实验样品进行了不同温度的热处理实验，使用扫描电子显微镜（SEM）和光学轮廓仪表征了样品发生的变化。结果表明，热处理后TSV中Cu柱的凸起程度与表面的粗糙度均随热处理温度的升高而增加，多次重复热处理与单次热处理的结果基本相同，为TSV应用于极端环境下MEMS的小型化封装提供了一种解决方案。
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