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摘要
采用半固态搅拌铸造法制备Al Si7-Si C复合材料，并利用真空压铸工艺实现了其近净成形，结合第一性原理计算方法研究了共晶Si对Si C颗粒和基体界面结合强度的影响.结果显示，在Al Si7-Si C复合材料中，发现较为严重的共晶Si偏析现象，当Si C颗粒同时处于共晶Si和α-Al边界时，形成了少量的共晶Si夹杂、被大量共晶Si包裹、完全被共晶Si包裹三种典型的界面.第一性原理计算结果显示，在C端和Si端的Si/Si C界面中，弛豫后top Si1配位方式具有最大的粘附功，与Al/Si C界面相比，Si/Si C界面具有更高的结合强度.Si偏析相提高了界面处的电荷密度，因而具有更好的界面结构稳定性.
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