晶须掺杂交联聚苯乙烯复合材料的制备及沿面闪络性能研究

作者：刘文元; 赵小什; 段荔; 柯昌凤; 霍艳坤; 陈昌华

来源：绝缘材料, 2020, 53(07): 18-22.

DOI：10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2020.07.003

• 真空沿面闪络
• 氧化锌晶须
• 硫酸镁晶须
• 交联聚苯乙烯

以交联聚苯乙烯(CLPS)为基体,分别用四针状氧化锌(T-ZnO)晶须和碱式硫酸镁(MOS)晶须掺杂改性,制备了两类晶须/交联聚苯乙烯复合材料。研究了晶须掺杂对复合材料结构、表面电阻率及真空沿面闪络性能的影响。结果表明:T-ZnO晶须的加入降低了复合材料的表面电阻率,而MOS晶须的加入对复合材料的表面电阻率几乎没有影响;当MOS晶须质量分数为2%时,复合材料的真空沿面闪络击穿电压较CLPS提升了40%,而T-ZnO晶须的加入降低了复合材料的真空沿面闪络电压。

• 单位
  湘潭大学; 西北核技术研究所