CMOS外延工艺下MLSCR器件鲁棒性的研究

作者：何刚; 刘继芝; 杨凯

来源：微电子学, 2019, 49(06): 834-837.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190057

• MLSCR
• 静电放电
• 失效分析

传统的改进型横向SCR(MLSCR)器件能够在最小的面积下实现最大的静电放电(ESD)鲁棒性,被广泛应用于ESD防护领域。但是,采用55 nm CMOS外延工艺制作的MLSCR器件会出现鲁棒性剧烈下降且回滞即失效的问题。对器件版图结构进行调整,并进行多组实验,验证了器件失效机理。实验结果表明,在55 nm CMOS外延工艺下,阱的方块电阻阻值大大降低,导致主电流泄放通道难以开启,从而出现MLSCR器件不能开启的问题。

• 单位
  电子科技大学