忆阻器是一种新型的非易失性存储器，具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触，被用于构造人工神经网络，然而，忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题，这阻碍了忆阻器的进一步应用。文章简要分析了忆阻器堆叠交叉阵列产生漏电流的原因，主要介绍了二极管-忆阻器、选通器-忆阻器、晶体管-忆阻器等多种抑制漏电流的方案，总结并展望了超大规模集成忆阻器的应用前景。
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