AgNWs@SiO2/PI复合薄膜制备及性能研究

作者：王雨婷; 吴子剑^*; 王正芳; 王雪霏; 郭宁; 张笑瑞; 马英一; 陈昊; 翁凌

来源：绝缘材料, 2021, 54(11): 120-125.

DOI：10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2021.11.017

• 聚酰亚胺
• 银纳米线
• 二氧化硅包覆
• 静电纺丝
• 导热绝缘

为了提高聚酰亚胺薄膜热导率的同时维持绝缘性,采用Si O2对Ag NWs进行表面绝缘包覆获得Ag NWs@Si O2核壳结构,首先通过静电纺丝技术将Ag NWs@Si O2分散在聚酰胺酸(PAA)电纺纤维内部,规划导热路径,同时改善Ag NWs@Si O2在PI基体中的分散性,再用含Ag NWs@Si O2的PAA胶液浸渍PAA电纺膜,热亚胺化后得到E-Ag NWs@Si O2/PI复合薄膜。研究其填料改性和含量对复合薄膜导热性能和绝缘性能的影响。结果表明:当填料质量分数为25%时,E-Ag NWs/PI和E-Ag NWs@Si O2/PI复合薄膜的热导率分别为2.92 W/(m·K)和2.80 W/(m·K),分别是纯PI薄膜的14.6倍和14倍。E-Ag NWs@Si O2/PI复合薄膜的介电常数降低至5以下,并且介质损耗因数维持在0.015以下,体积电阻率提升至1.79×1013Ω·m。

• 单位
  哈尔滨理工大学