低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用

作者：邱胜桦; 陈城钊; 刘翠青; 吴燕丹; 李平; 林璇英; 黄翀; 余楚迎

来源：功能材料, 2008, 39(11): 1839-1842.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2008.11.021

• 纳米晶硅薄膜
• 氢稀释
• 晶化率
• RF-PECVD

以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜.研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用.实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用.随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s.

• 单位
  汕头大学; 韩山师范学院