本文对S波段盒形窗内TE11模和TM11模两个模式存在下的次级电子倍增效应进行了分析,证明了TM11的存在会影响盒形窗次级电子倍增的阈值,通过对比双面法向谐振倍增(法向电场激励)和单面切向倍增(切向电场激励)两种倍增方式,证明了TM11模法向场的存在改变了窗片表面次级电子倍增的轨迹,使次级电子倍增的电场阈值上限降低,且该现象是由倍增初期的窗片表面的双面谐振所致。
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