化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟

作者：刘翠霞; 杨延清; 黄斌; 张荣军; 罗贤; 任晓霞

来源：无机材料学报, 2008, (05): 933-937.

• 化学气相沉积
• SiC膜
• 动力学Monte Carlo模拟
• 表面粗糙度
• 相对密度 SiC film
• chemical vapor deposition
• kinetic monte carlo simulation:
• surface roughness
• relative density

在化学气相沉积SiC膜过程中,分别考虑了化学反应的动力学以及基底表面原子的沉积与扩散,利用动力学蒙特卡罗方法,建立了SiC膜{111}取向的三维原子尺度模型,使用MATLAB模拟了原子尺度的SiC膜{111}取向生长过程.模拟结果表明:膜的生长经历了小岛的生成、小岛的合片与扩展、小岛间达到动态平衡三个阶段.随着温度的升高,膜的生长速率、表面粗糙度以及膜的厚度都增大.随着生长速率的增大,表面粗糙度增大,相对密度减小.模拟结果与理论和实验具有较好的吻合性.

• 单位
  西北工业大学; 材料学院; 凝固技术国家重点实验室