沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究

作者：李明达^*; 赵扬; 李普生; 王楠

来源：电子元件与材料, 2020, 39(02): 51-57.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.02.009

• 硅外延层
• 高速沉积
• 厚度
• 电阻率
• 均匀性
• 晶体缺陷

作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响。系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法。通过干涉显微镜、FT-IR、Hg-CV对硅外延层性质进行表征。研究了高速外延生长条件下的厚度均匀性、电阻率均匀性、表面完整性与外延反应流场、热场的作用规律。研究结果表明,通过基座高度的调制、加热功率的分配、预先基座包硅、本征覆盖层生长等综合手段解决了外延层边缘参数控制问题,并实现了最高6.6μm/min的生长速率。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所