摘要

研究碲锌镉室温半导体晶体用于核辐射探测器的器件制备过程及其性能与工艺参数的相关性。在探测漏器电的流研,制提过高程探中测,器发性现能晶。体载的流表子面迁化移学率抛和光寿对命探的测乘器积特为性1.有0 E较-3大V的/c影m响2,,由它此能晶有体效制降备低的碲探锌测镉器探有测器效的地探测了Co-57 122 keV的能谱,满足核辐射探测器的应用要求。