摘要
以通过阳极氧化法在铜基体上所生成的Cu(OH)2纳米针阵列为基体,采用脉冲电沉积法制备得到Cu(OH)2-SbSn前驱体,将其在400℃下煅烧2 h后即得到Cu-O-Sb-Sn复合电极。对所得电极进行扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,利用BTSDA Version软件进行充放电测试,对其组织形貌、物相组成及电化学性能等进行分析。经热处理后所得复合电极具有较优良的性能,当电流密度为0.15 mA/cm2、电压为0.011.8 V进行充放电时,首次可逆比容量为1.75 mAh/cm2,第50次循环的可逆比容量为1.16 mAh/cm2。
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单位唐山职业技术学院; 华北理工大学