铜抛光液中缓蚀剂5-氨基四唑(ATA)的作用机制研究

作者：刘宇宏; 董莹; 戴媛静; 雒建斌

来源：润滑与密封, 2012, (05): 1-6+22.

• 缓蚀剂
• 化学机械抛光
• 抛光机制
• 吸附 inhibitor
• chemical mechanical polishing
• planarization mechanism
• adsorption

采用静态腐蚀实验、接触角测试、XPS等手段,比较在不同pH值下抛光液中缓蚀剂(5-氨基四唑(ATA),苯并三唑(BTA))对铜表面化学机械抛光(CMP)的影响,并探讨ATA在铜表面的作用机制。结果表明,BTA和ATA是优良的铜缓蚀剂,当pH值为3～10时,两者可在铜表面成膜,保护铜表面不受腐蚀,从而降低铜片的静态腐蚀速率和去除率,其中当pH=4时,2种缓蚀剂表现出最佳的缓蚀性能。当pH值为3～5时,ATA的缓蚀性能优于BTA。ATA通过四唑环上的N原子和氨基上的N原子吸附在铜表面,形成保护膜,从而抑制了H2O2对铜表面的腐蚀,改善了表面质量,是一种优良的适用于酸性铜抛光液的缓蚀剂。

• 单位
  摩擦学国家重点实验室; 清华大学