稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷导电过程的影响

作者：成鹏飞; 王玉平

来源：电瓷避雷器, 2010, (04): 20-22.

DOI：10.16188/j.isa.1003-8337.2010.04.006

• ZnO压敏陶瓷
• 晶粒尺寸
• 导电过程
• 温度特性
• 介电特性 ZnO varistor ceramics
• grain size
• conduction process
• temperature characteris-tic
• electrical property

掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。

• 单位
  西安工程大学; 西安高压电器研究院有限责任公司