承继传统技术优势 东芝发力SiC功率器件

来源：世界电子元器件, 2020, (11): 9-10.

<正>功率半导体器件作为电力电子设备的关键组成部分,直接影响了整个电力电子设备的系统成本和工作效率。特别是伴随着更多高性能低功耗要求的出现,对功率器件的应用要求也随之变化。相比于传统的半导体芯片主要依靠工艺和制程的进展提升性能,功率器件的很多性能指标则直接由材料的性能指标所决定。因此,要满足更新的系统设计要求往往需要基于新材料的功率器件才能得以实现。从二极管到三极管,再到更为复杂的MOSFET和IGBT等,硅基功率半导体固态器件的日渐成熟,广泛应用于各种电子设备中,确保了系统性能的不断提升。但是由于硅材料本身物理特性的限制,在某些高压、高温以及高效率或高功率密度要求的应用中,无法满足其系统设计的要求。这个时候宽禁带半导体引起人们的重视,SiC(碳化硅)和GaN就是其中的典型代表。