V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷性能的影响

作者：陈俊宇; 严继康; 甘国友

来源：复合材料学报, 2017, 34(05): 1048-1053.

DOI：10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003

• TiO2
• 烧结条件
• 共掺杂
• 压敏电压
• 非线性系数

研究了V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷电学性能的影响。采用固相烧结方法制备V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品。利用XRD衍射仪检测物相和SEM测定显微结构。用压敏电阻直流参数仪测定V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品在不同烧结温度和掺杂量下的电学性能。结果表明:掺杂0.35mol%的V2O5,XRD衍射仪没有检测到第二相的产生。随着SrCO3掺杂量以及烧结温度的增加,样品压敏电压和非线性系数都有不同的变化趋势。当烧结温度为1 300℃、Sr2+掺杂量为0.5mol%时,样品的各项电学性能最优:V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品压敏电压达到16.3V/mm,非线性系数α达到5.6。

• 单位
  昆明理工大学