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摘要
本发明公开了基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法,其包括玻璃基板、栅极、单一氧化绝缘层、沟道层、源极和漏极的制备过程；栅极位于玻璃基板之上,单一氧化绝缘层覆盖在栅极之上,沟道层位于绝缘层之上,源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔。其中单一氧化绝缘层采用阳极氧化的方法制备,沟道层的材料为掺杂氧化锌半导体。该薄膜晶体管具有制备成本及温度低、阈值电压较低、载流子迁移率较高以及开关比高等优点。
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本发明公开了基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法,其包括玻璃基板、栅极、单一氧化绝缘层、沟道层、源极和漏极的制备过程；栅极位于玻璃基板之上,单一氧化绝缘层覆盖在栅极之上,沟道层位于绝缘层之上,源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔。其中单一氧化绝缘层采用阳极氧化的方法制备,沟道层的材料为掺杂氧化锌半导体。该薄膜晶体管具有制备成本及温度低、阈值电压较低、载流子迁移率较高以及开关比高等优点。
