全球氮化镓肖特基二极管专利分析

作者：罗晓雅; 黄丽娜

来源：中国科技信息, 2023, (20): 41-44.

<正>技术概述氮化镓（GaN）材料作为第三代半导体的代表，具有宽带隙（3.4eV）、高临界击穿电场（3.3MV/cm）、高电子饱和漂移速率的优异特性，特别是AlGaN/GaN异质结界面能够形成高浓度二维电子气（2DEG），具有高达2000cm2(V.S)的电子迁移率，使得GaN材料在高压、大功率、低损耗和高频率方面都具有显著优势。相对于PN结二极管，肖特基势垒二极管（SBD）由于载流子的注入和移除速度快，能够在高频信号处理过程中快速实现导通和截止状态的切换，同时肖特基势垒二极管还具有正向导通电压低的优点，能够减少能量消耗，提高电路效率。因此，肖特基势垒二极管能够广泛应用于高频信号电路以及各种电源设备，用于实现整流，变频等功能。GaN肖特基势垒二极管可以同时实现高击穿电压、高开关频率、大电流和低导通电阻，进而大幅降低微波、毫米波频率下的器件损耗，是实现微波、毫米波系统低功耗、高功率、高可靠性的关键。

• 单位
  国家知识产权局