Mo的溅射功率对MoZnO薄膜晶体管性能的影响

作者：付钰; 高晓红^*; 孟冰; 王森; 孙玉轩

来源：吉林建筑大学学报, 2022, 39(05): 75-79.

• MoZnO
• 溅射功率
• 薄膜晶体管
• 光电探测

当下，ZnO基薄膜晶体管的有源层材料种类繁多，为了解决薄膜晶体管制备的成本高、对人体有危害和在光电探测领域应用等问题．在本工作中，选择采用磁控溅射的方法制备了以MoZnO为有源层的薄膜晶体管(TFT)．在实验过程中控制其他制备条件不变，制备了ZnO TFT和Mo的溅射功率分别为3 W,6 W,9 W的MoZnO TFTs，并分析了影响其电学参数变化的机理，此外还进行了多个光周期下的动态响应测试．结果显示在Mo的溅射功率为3 W时，其场效应迁移率(μsat)达到了2.78cm2/Vs，电流开关比(Ion/Ioff)达到107，亚阈值摆幅(SS)大约为1.5 V/decade．此外在365 nm的光照条件下也表现出良好的响应特性，其光响应度(R)高达32.09 A/W．综上所述，这种MoZnO TFT有潜力应用于光电探测领域．

• 单位
  吉林建筑大学