一种评估功率LDMOS散热特性的方法

作者：李浩; 杜寰

来源：微电子学, 2019, 49(04): 588-592.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180408

• 功率LDMOS
• TLP测试
• 寄生电阻

介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法。在0.18μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试。通过对物理机理以及I-V曲线进行分析,发现随着叉指数目的不断增加,归一化的寄生电阻趋近定值。基于此,提出了寄生电阻相对变化因子α的概念,用来表征功率LDMOS的散热特性。最后对测试结果进行计算得到,漂移区长度为0.5μm、叉指宽度为33μm、总栅宽为14.4 mm时,LDMOS的α为0.631。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所