摘要

文中提出了一种采用增益提高技术的超宽带低噪声放大器(LNA)。为了通过提高电路的输出阻抗,进而实现改善电路增益的目的,该LNA包含了两级共射共基放大器电路,并在共基晶体管基极引入电感。基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺对其进行设计,实现了超宽的31GHz42GHz的工作频率,增益为20.1dB30.7dB,噪声系数为1.19dB1.31dB,并且在1.8V单电源电压供电情况下,消耗的功耗为13.2mW。

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