摘要
针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补。基于 0.18 μm CMOS 工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整。基准源采用改进的 Neuteboom 带隙电路,在 5 V 电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40~125 ℃温度范围内,实现了 2.98×10-6/℃的温度系数。通过电阻网络修调的基准电压变化范围为 2.3840~2.5154 V,电压修调步长为 2 m V。