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摘要
本文首先利用光敏电阻阻值的可控性,建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型.通过对忆感器和忆阻器间转换关系的分析,采用模拟电子元器件设计了磁通控制型忆感器的实用等效电路模型,给出了理论分析并结合Pspice软件进行了仿真验证.忆感器等效电路模型的韦安关系展现出典型的非线性磁滞回线特性.最后,运用实验手段研究了正弦波和三角波两种典型电压信号激励下忆感器与RC串联后电路的动态特征,证明了本文提出忆感器等效电路模型的有效性.
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本文首先利用光敏电阻阻值的可控性,建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型.通过对忆感器和忆阻器间转换关系的分析,采用模拟电子元器件设计了磁通控制型忆感器的实用等效电路模型,给出了理论分析并结合Pspice软件进行了仿真验证.忆感器等效电路模型的韦安关系展现出典型的非线性磁滞回线特性.最后,运用实验手段研究了正弦波和三角波两种典型电压信号激励下忆感器与RC串联后电路的动态特征,证明了本文提出忆感器等效电路模型的有效性.
