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摘要
本文基于实验样品结构，利用PICS3D模拟软件，构建了具有同样结构的InGaN基蓝光激光器，并采取了与实验样品一致的内部参数测定方式，结果表明内部损耗相对误差为3.5%，实现了严格的比对。随后构建了一系列InGaN基蓝光激光器，通过比较不同In含量下的光输出功率、载流子分布、光场分布、辐射复合系数和能带曲线等参数，对上波导层中的In含量进行优化研究。设计得到了光功率更优的两种不同的优化结构，均有效减少了电子泄露，提高了斜率效率，从而有效提高了光电转化效率，其中渐变In含量上波导层结构提升效果更为显著。
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