新型材料结构的设计是提高红外探测器性能的有效途径。锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb作为红外光敏材料时结构稳定，且具有低暗电流、高温工作特性以及优越的光电转化效率，是研制高温工作红外探测器的理想材料。综述了基于锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb的研究进展，介绍了现阶段应用在典型单极势垒结构中的两种红外探测器性能，并对锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb探测器的发展进行展望。
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