In2O3掺杂量对锑基SnO2压敏电阻电气性能的影响

作者：王法栋; 赵洪峰; 谢清云

来源：机械工程材料, 2023, 47(06): 25-66.

• 锑基SnO2压敏电阻
• In2O3掺杂量
• 电气性能
• 微观结构

以SnO2粉、CoO粉、Cr2O3粉、Sb2O5粉、In2O3粉为原料，在100 MPa压力和1 300℃温度下烧结制备(98.85-x)SnO2-1CoO-0.05Cr2O3-0.1Sb2O5-xIn2O3(x=0,0.05,0.10,0.15,物质的量分数/%)锑基SnO2压敏电阻，研究了In2O3掺杂量对压敏电阻微观结构和电气性能的影响。结果表明：随着In2O3掺杂量的增加，锑基SnO2压敏电阻的平均晶粒尺寸减小，密度先增大后减小，非线性系数、施主密度、界面态密度和势垒高度均先增大后减小，泄漏电流密度先减小后增大，电压梯度增大。当掺杂In2O3物质的量分数为0.10%时，压敏电阻的密度达到最大，为6.82 g·cm-3,综合电气性能优良，其电压梯度、非线性系数、泄漏电流密度、施主密度、界面态密度和势垒高度分别为851 V·mm-1,32.36,1.19μA·cm-2,4.4×1023 m-3,3.2×1016 m-2和1.44 eV。

• 单位
  新疆大学; 电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室