L波段GaN自偏压功率放大器

作者：李飞; 钟世昌

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2018, 16(05): 918-920.

• 氮化镓(GaN)
• 自偏压
• 内匹配

介绍了一款L波段自偏压内匹配功率放大器。器件采用0.25μm工艺GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,内匹配技术对单胞管芯进行输入输出匹配,放大器的工作频带范围为1.2～1.4GHz。采用自偏压技术,单电源供电,使电路更为简洁,使用方便。工作电压为28V,占空比为10%,脉宽为300μs,在输入功率为26 dBm时,频带内输出功率在40 dBm以上,功率附加效率大于60%,充分显示了GaN功率器件在单电源模块中的性能优势。