SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应

作者：于庆奎; 张洪伟; 孙毅; 梅博; 魏志超; 李晓亮; 王贺; 吕贺; 李鹏伟; 曹爽; 唐民

来源：现代应用物理, 2019, 10(01): 54-58.

• SiC
• 肖特基二极管
• 单粒子效应
• 单粒子烧毁,单粒子锁定

在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破坏,形成漏电通路,造成SiC二极管漏电流增大,直至发生单粒子烧毁。