本发明公开了一种打开石墨烯带隙的方法,属于半导体电子技术领域,包括以下步骤：分别制备氧化镓层和石墨烯层；将石墨烯层转移至氧化镓层上,通过氧化镓和石墨烯之间的电荷转移改变石墨烯的电子结构,形成氧化镓/石墨烯异质结,实现石墨烯带隙的打开；本发明提供的打开石墨烯带隙的方法,制备工艺简单,器件结构清晰,能够较大程度的有效打开石墨烯带隙,对于将石墨烯应用到半导体电子器件领域有着重要的意义。
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