科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明提出了一种具有高K介质(High#K#Dielectric#Pillar,HK)沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该器件主要是在器件的漏端形成深槽高K介质层,高K介质层的下端深入到器件衬底上的外延层,上端与器件表面的漏电极相连接。在器件关断时,HK介质沟槽均匀的电场降低了器件漏端下方由柱面结产生的高峰高电场,优化了器件的纵向电场分布,提升了器件的击穿电压；而且,高K介质层与宽带隙半导体材料衬底形成MIS电容结构,在器件关断时能够有效地辅助耗尽衬底中的电荷,有效提高了器件在一定耐压下衬底的掺杂浓度即降低了衬底的电阻率。 1
- 单位
