RF磁控溅射制备AZO透明导电薄膜及其性能

作者：杨伟锋; 刘著光; 张峰; 黄火林; 吴正云

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(12): 2311-2315.

DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.005

• RF磁控溅射
• 透明导电薄膜
• AZO薄膜

室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底E制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响.分析表明:在最优条件下(溅射功率为250W,氩气压强为1.2Pa时),180nm AZO薄膜的电阻率为2.68×10-3 Ω·cm,可见光区平均透射率为90%,适合作为发光二极管和太阳能电池的透明电极.所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,晶粒问界中的O原子吸附是限制薄膜电学性能的主要因素.

• 单位
  厦门大学