CVD-ZnS胞状生长现象对材料结构与性能的影响

作者：杨海; 魏乃光; 杨德雨; 李红卫; 霍承松; 黎建明; 李冬旭; 杨建纯; 史晶晶; 郭立

来源：人工晶体学报, 2019, 48(07): 1233-1239.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.07.009

• CVD-ZnS
• 胞状生长
• 晶体结构
• 材料性能

采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸Zn S晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2. 71×10-5和2. 85×10-5,均方根值分别为6. 46×10-6和4. 98×10-6,正常区域的样品光学均匀性为9. 53×10-6,均方根值为1. 51×10-6,表明胞状物的存在会降低CVD-ZnS材料的光学均匀性;采用三点弯曲法测试材料弯曲强度,四组弯曲强度数据表明CVD-ZnS正常区的弯曲强度明显高于CVD-ZnS胞状物密集区。

• 单位
  北京有色金属研究总院; 有研新材料股份有限公司