具备深背部通孔的砷化镓集成无源器件的制作技术

作者：陈智广; 林伟铭; 李立中; 庄永淳; 马跃辉; 黄光伟; 吴靖; 吴淑芳

来源：集成电路应用, 2019, 36(12): 20-22.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2019.12.009

• 集成无源器件
• 砷化镓
• 深背部通孔
• 垂直电感

介绍一种具备深背部通孔特点的砷化镓无源器件制作的芯片滤波器,并对其射频特性进行了进一步的讨论。在背部通孔深度达到200μm且形貌垂直的基础上,制备出一背部垂直电感。测试结果表明:在3.3～4.2 GHz频带内,该芯片滤波器的插入损耗(IL)<1.6 dB,带内回波损耗<-30 dB,可以满足当前微波毫米波系统中的大规模应用。并且该芯片滤波器的设计尺寸为1.0 mm×1.0 mm×0.25 mm,与传统滤波器相比,面积缩减了近90%,符合当前通信系统器件小型化的发展趋势,具有广阔的应用前景。