SiO2纳米改性对PE击穿场强影响的模拟分析

作者：郭睿^*; 朱伟林; 于金旭; 王海玉; 张晋

来源：光纤与电缆及其应用技术, 2020, (03): 6-31.

DOI：10.19467/j.cnki.1006-1908.2020.03.002

• 聚乙烯
• 聚乙烯/二氧化硅纳米复合材料
• 分子模拟技术
• 击穿场强
• 陷阱深度

通过Materials Studio软件建立无定型聚乙烯(PE)和PE/二氧化硅(SiO2)界面模型,基于密度泛函理论计算PE和PE/SiO2模型的电子能量,模拟得到PE和PE/SiO2界面模型的击穿场强和陷阱深度。得到结论,纳米SiO2颗粒的加入能够有效提高PE材料的击穿场强,改善材料的耐击穿性能。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十三研究所