采用射频磁控溅射方法制备了三明治结构ZnO紫外光电探测器,即在传统金属-半导体-金属(MSM)单层ZnO紫外光电探测器的基础上再铺设一层ZnO薄膜,从而构建三明治器件结构。三明治结构ZnO紫外光电探测器响应度在5 V偏压下达到了0.05 A/W,暗电流为1.44×10-5 A,器件的整体性相比较传统单层ZnO紫外光电探测器得到了明显的改善。这主要归因于金属与半导体接触的耗尽区可以直接吸收入射光,提高了入射光的吸收效率,避免了传统上层电极对入射光的遮蔽作用。
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