Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算

作者：谢杰; 张晋敏^*; 冯磊; 潘王衡; 王立; 贺腾; 陈茜; 肖清泉; 谢泉

来源：人工晶体学报, 2020, 49(01): 99-104.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.01.010

• 第一性原理
• Mn4Si7
• 电子结构
• 光学性质

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.804 e V,Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 e V。掺杂使得Mn4Si7费米面附近的电子结构发生改变,导带底由Γ点转移为Y点向低能方向下偏移,价带顶向高能方向上偏移,带隙变窄。计算还表明Mo掺杂Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加。

• 单位
  贵州大学