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摘要
本发明公开一种基于锗硅异质结和双栅的少掺杂隧穿场效应晶体管,主要解决现有少掺杂隧穿场效应晶体管开关比和频率差的问题。其包括：漏区、沟道区、源区、第一上栅介质、第二上栅介质、第一下栅介质、第二下栅介质、源极、栅极和漏极；源区和沟道区自左向右位于漏区左侧,栅极和第一上栅介质自上而下位于沟道区上侧,第一下栅介质位于沟道区下侧,源极位于第一上栅介质左侧,漏极位于第一下栅介质右侧,第二上栅介质位于第一上栅介质上侧,第二下栅介质位于第一下栅介质下侧；源区和沟道区分别采用Ge和SiGe材料,形成异质结；背栅极位于第一下栅介质下侧,形成双栅。本发明提高了晶体管的开关比和频率,适用于低功耗数字集成电路。
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