利用脉冲激光沉积法成功制备了BaTiO3/p-Si异质结,该异质结在80—300K显示出了良好的整流特性和光诱导特性.开启电压随着温度的升高而逐渐降低.利用不同频率的光子辐照样品,观察到明显的光电导效应.且随着照射光子能量的增大,结电流也相应变大,光诱导效应越明显.BaTiO3薄膜电阻-温度(R-T)曲线显示氧缺陷条件下BaTiO3薄膜具有良好的半导体特性.