静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响

作者：乐淑萍; 郑畅达; 江风益

来源：南昌大学学报(理科版), 2007, (03): 246-248+252.

• Si
• GaN基蓝光LED
• 静电
• 加速老化

对几组本工程中心研制的S i衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究对比了1 000 V范围内的静电对S i衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析。结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响。

• 单位
  南昌大学; 教育部发光材料与器件工程研究中心