单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连

作者：胡滨; 阮爱武; 李平; 翟亚红; 蔡道林

来源：上海交通大学学报, 2007, S2: 36-40.

DOI：10.16183/j.cnki.jsjtu.2007.s2.010

• 耐熔金属硅化物
• 互连工艺
• 铁电
• 集成电路
• 微传感器 multilevel silicide
• interconnect process
• ferroelectric
• IC
• micro-sensor

在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点,能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路,在退火条件分别为500°C5、h,600°C、30 min,650°C5、min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求.

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学