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摘要
通过水热法成功制备了In掺杂的MoO3纳米带，并探究了In掺杂浓度对其物相、形貌和室温氢敏性能的影响。结果表明，In掺杂后产物均为正交相MoO3纳米带，平均长度约为5μm,直径约为200 nm。随着In掺杂浓度从2%(原子分数)提高到6%,材料的室温氢敏性能逐渐增强，但当掺杂浓度进一步提高到10%时，室温氢敏性能反而恶化。其中，6%掺杂的MoO3纳米带表现出最佳的室温氢敏性能，对3 000×10-6 H2的响应度约为1.84,响应时间约为42 s。此外，所得In掺杂MoO3纳米带具有良好的重复性、选择性和稳定性。
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单位湖北大学; 黄冈师范学院
